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    产品信息

    4H 导电型

    SiC单晶衬底

    4H n-Type

    当前位置 > 4H-导电型碳化硅单晶衬底
    天岳先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
    更好的满足客户的需求
    目前可批量供应6英寸产品
    8英寸产品正在研发中

    *更加详细的产品信息欢迎咨询营销团队

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    基本信息

    导电型
    • 晶型 4H
    • 直径(mm) 150
    • 偏角(°) 4
    • 厚度(μm) 350
    • 表面状态 Epi-ready

    电力电子器件

    通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。
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